'Onmogelijke' stroomgeleiding opgehelderd
Doorbraak kan leiden tot nieuwe wegen in nano-elektronica
14 mei 2010
Breng twee materialen die zelf geen stroom geleiden, met elkaar in contact en precies op het grensvlak gebeurt iets opmerkelijks: daar is wél geleiding mogelijk. Onderzoekers van het MESA+ Instituut voor Nanotechnologie van de UT, samen met collega’s in München, Berkeley en Davis, laten nu zien dat ter plekke zelfs twee parallelle geleidende ‘paden’ ontstaan, slechts één nanometer van elkaar gescheiden. Dat is niet alleen een doorbraak in het begrijpen van het fenomeen, het opent ook de weg naar nieuwe vormen van nano-elektronica. De onderzoekers presenteren hun bevindingen in Physical Review Letters.
Eerder al lieten de UT-onderzoekers zien dat twee
niet-geleidende metaaloxiden geleidend kunnen worden, precies waar
ze met elkaar in contact komen. En dat niet-magnetische
metaaloxiden op het grensvlak 'opeens' magnetisch worden. Het gaat
hierbij bijvoorbeeld om de combinatie van strontiumtitaanoxide en
lanthaanaluminiumoxide. Komen deze complexe oxiden met elkaar in
contact, dan zijn aan de beide kristaloppervlakken verschillende
ionen aanwezig die elk hun eigen lading hebben. Als de beide oxiden
met elkaar in contact komen, vindt een herschikking plaats van
lading, ook wel elektronische reconstructie genoemd.
Op de plaats waar meer elektronen terechtkomen kan nu
elektrische geleiding plaatsvinden door deze elektronen.
Tegelijkertijd zou je verwachten dat er elders in de structuur
gaten ontstaan - positieve ladingdragers - waar de
oorspronkelijke elektronen zaten. De nieuwe berekeningen en
experimenten wijzen nu uit dat die gaten inderdaad bestaan en dat
de gaten en elektronen parallel aan elkaar gaan bewegen, met
slechts één nanometer tussenruimte. Dit is niet alleen een
doorbraak in het begrip van de geleiding op het grensvlak, het
opent ook de weg naar nieuwe toepassingen die in de huidige
halfgeleiderelektronica nog niet mogelijk zijn. Spannend is
bijvoorbeeld of in deze geleidende lagen, zo dicht bij elkaar, ook
weer interactie gaat optreden, met nieuwe deeltjes en
quantumtoestanden als resultaat.

In een gestapelde atoomstruktuur van lanthaanoxide, afgedekt
met strontiumtitaanoxide, op een substraat van strontiumtitaanoxide
(kristalstructuur van links naar rechts, bovenzijde plaatje), geeft
de interne potentiaal in de LAO laag aanleiding tot een
herverdeling van lading. De resulterende elektronen aan het
interface laten gaten achter op slechts 1 nm afstand. De elektronen
(links) en gaten (rechts) leveren parallel een bijdrage
aan de elektrische geleiding.
Eén eenheidscel volstaat
Tot nu toe werd bovendien aangenomen dat oxiden met een zekere
dikte nodig zijn om het effect te bereiken. Uit het nu
gepresenteerde onderzoek blijkt dat het mechanisme al optreedt bij
een dikte van één eenheidscel: één laag in het kristal. Het MESA+
Instituut voor Nanotechnologie beschikt over unieke mogelijkheden
om dit type oxiden atoomlaag-voor-atoomlaag op te bouwen, om op
deze manier materialen te kunnen maken met zeer uiteenlopende
eigenschappen.
De resultaten zijn tot stand gekomen in een groot internationaal
onderzoekteam. Hierbij zijn, naast München, Davis en Berkeley, vier
MESA+ leerstoelen (Inorganic Materials Science, NanoElectronic
Materials, Physical Aspects of Nanoelectronics and Interfaces and
Correlated Electron Systems) betrokken. Het onderzoek is vanuit
Nederland gefinancierd door FOM, NWO, VIDI and VICI grants en
NANONED.
Noot voor de pers
Het artikel 'Parallel Electron-Hole Bilayer Conductivity
from Electronic Interface Reconstruction', door R.
Pentcheva (München), M. Huijben (MESA+), K. Otte (München), W. E.
Pickett (Davis), J. E. Kleibeuker (MESA+), J. Huijben (MESA+), H.
Boschker (MESA+), D. Kockmann (MESA+), W. Siemons (Berkeley), G.
Koster (MESA+), H. J. W. Zandvliet (MESA+), G. Rijnders (MESA+), D.
H. A. Blank (MESA+), H. Hilgenkamp (MESA+) en A. Brinkman (MESA+)
staat al online op de site van Physical Review Letters en
verschijnt binnenkort in print. Het artikel kan op verzoek
toegestuurd worden.
Contactpersoon voor de pers: Wiebe van der Veen, tel
(053)4894244 of 0612185692